技术参数PARAMETER

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反应烧结碳化硅产品主要技术参数

Technical parameters of Reaction-Bonded SiC Products


项目
(item)

单位
(unit)

指标
(Date)

使用温度
(applicationtemperature)

1380

密度
(density)

G/cm3

≥3.02

气孔率
(open porosity)

%

≤0.1

抗弯强度
(bending strength)

Mpa

250(20℃)

Mpa

280(1200℃)

弹性模量
(modul us of elasticity)

Gpa

330(20℃)

Gpa

300(1200℃)

导热系数
(Thermal Conductivity)

W/(M.K)

45(1200℃)

热膨胀系数 
(coefficient ofthermal expansion)

K-1×10-6

4.5

莫氏硬度
(rigidity)


9

耐酸碱性
(acid&alkali resistance)



无压烧结碳化硅陶瓷技术参数

Technical parameters of pressure-free sintered silicon carbide ceramics


项目
(item)

单位
(unit)

SSIC

使用温度
(applicationtemperature)

1900

硬度Hv
(Hardness Hv1)

HRA

≥92

抗压强度
(compressive strength)

MPa

≥2600

抗弯强度
(bending strength)

MPa

≥400

碳化硅量
(Sic Content)

%

≥99

弹性模量
(modulus of elasticity)

MPa

410

导热系数
(Thermal Conductivity)

W/(M.K)

100-120

热膨胀系数 
(coefficient ofthermal expansion)

i/℃

4.0

气孔率
(open porosity)

%

<0.1

泊松比
(Posisson’s Ration)


0.16

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